STM32读写片内FLASH 笔记

前言

在通过OTA的方式对设备进行升级，若在使用内部FLASH装载固件程序的方式下，需要擦写 内部FLASH 从而实现把新的固件程序写入到 内部FLASH。

STM32F105的内部ROM分布

F105属于互联型设备，其内部的主存储器ROM有256KB。

这256KB 由 128页 ，每页2KB的页面组成

Information block 分为两个部分：System memory 和 Option bytes

• System memory：

  这个部分存储了是STM32官方系统的bootloader程序，在通过选择对应的BOOT模式可以进入该bootloader程序；该bootloader程序是通过 把USART1的传输过来的程序 写入到Main memory中。

  在互联型产品中，bootloader程序 还可以读取 USART2(重映射)等接口，从而烧录程序。

• Option bytes

  有两种保护方式：①写包含；②读保护

注意：

只有在写FLASH完毕后，才能正确的读取FLASH 。在 写FLASH时读取FLASH，将会造成写失败；

2.只有在内部高速晶振开启时，才能写入/擦除内部FLASH。

3.在低功耗模式下，对FLASH的任何访问将被中止。

STM32F10x的闪存擦写

STM32F10x的闪存擦写由 FPEC 控制。

FPEC指Flash program and erase controller，FPEC由7个32位的寄存器组成。

注意：只有CPU没有访问 正在操作的FLASH，CPU将不会因操作FLASH而阻塞。

解锁FPEC

在复位后，FPEC是被保护着。

需要往 FLASH_KEYR 寄存器写入固定的值，才可解开FPEC的锁。

如果这个值写错了，那么只有在下一次复位后，才能再次接口FPEC的锁。

Main FLASH 的编写

每次只能往main flash写入16位数据。

在写入main flash的指定地址时，若该地址并未被擦除，则FLASH_SR的 PGERR 将会被置位。

若该地址是写保护的(通过 FLASH_WRPR 设置)，则FLASH_SR的 WRPRTERR 将会被置位。

标志的擦写 main Flash的步骤如下：

main Flash的擦除

在编写 main Flash 之前，需要先擦除。

擦除 main Flash 的方式有两种：页擦除，全擦除。

页擦除：页擦除是擦除 main Flash的一个页面。

map 0x40000000,0x40080000 read write

注意点

在使用stm32自带的flash保存数据时候，如下特点必须知道：

1、必须是先擦除一个扇区，才能写入

2、读数据没有限制

3、 写数据必须是偶数（2字节、4字节） ，同时写入地址以一定要考虑字节对齐，

4、一般都是在最后几页进行数据保存的，确保数据量不超过flash的的大小，比如f103大容量是2k字节，其实一个扇区只能写入1k数量的2字节的数据。

http://eeskill.com/article/id/29479

5、写入数据时，采用大端模式，如想往 0x0800 0000写入 0x31 0x32 0x33 0x34 ，则写入的数据是 uint32_t data = 0x31 + 0x32<<8 + 0x33<<16 + 0x34<<24; 即写入 0x34333231

6、一旦写入数据，无论你写的是FLASH擦除后的默认值 0xff 还是其他值，若在不擦除的情况下再次往该地址写数据，必定失败。

7、若遇到写入 或 擦除失败的清空，需要清除标志位后才能再继续写入或擦除。

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP |   FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
flash_sta=FLASH_ErasePage(UPDAFLAG_FLASH_56K);